Главная » Статьи » Электроника » Курсовая работа |
Расчет предоконечного каскада
Предварительный расчет выходного каскада был проведен в параграфе 1 данной работы. Согласно ему, колебательная мощность предоконечного каскада составляет 48 мВт. В нем применен транзистор КТ315А (n-p-n) с параметрами: Pk max = 150мВт; fmax≥250 МГц; Uэбо max = 6В; Ik max = 100 мА. Согласно заданию напряжение питания передатчика определено Еп = 3В Ток первой гармоники определим следующим способом: Ik1 = 2Р1/Ек (8) Ik1 = 2*0,048/3 = 32 мА Что не превышает допустимый ток Ik max = 100 мА. Сопротивление потерь коллектора вычислится, как [6, с. 37]: r’k = 1/(ω^2*Ck^2*rk^2 ) (9) r’k = 1/(2*π*65*106*24*10-12)2*0,5 = 20,8 кОм Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме: (10) ξгр = 0,5/(1+2/(1*20800))*(1+√((16*0,048*(1+2/(1*20800)))/(1*〖0,032〗^2 ))) = 0,62 Напряжение и первая гармоника тока нагрузки: Uk max = ξгр*Ek max (11) Uk max = 0,62*3 = 1,86 В Ik max = (2*Pmax)/(Uk max) (12) Ik max = 2*48/1,86 = 51,6 мА Полезная нагрузка и полное сопротивление: Rk = (Uk max)/(Ik max) (13) Rk = 1,86/0,0516 = 36 Ом R’k = (r^' k*Rk)/(r^' k+Rk) (14) R’k = 20,8*36/(20,8+36) = 13,2 Ом Амплитуда первой гармоники тока: Ir1 max = Ik1 max*(1+Rk/r'k) (15) Ir1 max = 51,6*(1+36/20,8) = 140 мА Параметры Sn, rβ, S, А, В: Sn = (42,5*Ir1 max )/(1+3,66*〖10〗^(-3)*t^0 C) (16) Sn = 42,5*0,14/(1+0,0037*150) = 3,8 См rβ = β0/Sn (17) rβ = 15/3,8 = 3,9 Ом S = β0/(rб+rβ+rэ(β0+1)) (18) S = 15/(0,7+3,9+0,1*16) = 2,4 См A = 0,65+0,15*(ωτ*Cэ)/S (19) A = 0,65+0,15*2*3,14*65*10^6*300*10^-12/2,4 = 0,66 B = 0,67+(ωτ*Cэ)/S (20) B = 0,67+2*3,14*65*10^6*300*10^-12/2,4 = 0,72 Коэффициент разложения γ1 γ1 = A/(B-(Ec0-Ec)/(Ir1max )*ωτ*Cэ) (21) γ1 = 0,66/(0,72-((0-0,7)/0,14)* 2*3,14*65*10^6*300*10^-12) = 0,49 По таблицам коэффициентов разложения [7, с. 215] находим cosθ = 0,12, g1(θ) = 1,6 Амплитуда тока базы: (22) Iб max = 0,2*(0,14*(1,1+2*3,14*65*10^6*24*10^-12*15)+1,06*2*3,14*65*10^6*24*10^-12) = 37 мА Модуль коэффициента передачи по току: |Ki| = Ik1max/Iбmax (23) |Ki| = 51,6/37 = 1,4 Пиковое значение обратного напряжения на эмиттере: eэ обр. max = - (Ir1 max*(1+cosθ))/(ωτ*Cэ*γ1) +E’c (24) eэ обр. max = -(0,14*(1+0,12))/ (2*3,14*65*10^6*24*10^-12*0,49)+1,86 = -2,8 В Составляющие входного сопротивления транзистора для тока первой гармоники: (25) rвх1 = (0,7*(1+2*3,14*65*10^6*24*10^-12*36*0,49)+ 2*3,14*65*10^6*0,3*10^-9*0,49+0,1)/(1+2*3,14*65*10^6*24*10^-12*36*0,49) = 0,83 Ом (26) Хвх = 2*3,14*65*10^6*2*10^-9+(2*3,14*65*10^6*0,35*10^-9-(1-0,49)/(2*3,14*65*10^6*2*300*10^-12)-0,1*0,2*0,49)/(1+2*3,14*65*10^6*24*10^-12*36*0,49) = 0,84 Ом Усиление по мощности: Кр = |Ki|*Rk/r1вх (27) Кр = 1,4^2*(36/0,83) = 85 Постоянная составляющая коллекторного тока, мощность, потребляемая от источника питания, электронный КПД коллектора: Ik0max = Ir1max/(g1(θ)) (28) Ik0max = 140/1,6 = 87,5 мА P0max = Ik0max*Ekmax (29) P0max = 0,0875*3 = 260 мВт η = Pнmax/P0max (30) η = 150/260 = 0,58 Мощность рассеяния на транзисторе, входная мощность: Pрас max = P0max - Pнmax + Pнmax/Kp (31) Pрас max = 260-150+150/85 = 111,7 мВт Pвх max = Pнmax/Kp (32) Pвх max = 150/85 = 1,7 мВт Составляющие сопротивления нагрузки, приведенные к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте: (33) Rн = ((0,0098*(1-0,0079)*1296-0,82)^2+1296)/ 5,48 = 261,8 Ом (34) Хн = 261,8*36/(0,0098*(1-0,0079)*1296-0,82) = 800 Ом Далее определяется средняя мощность рассеяния на транзисторе за период частоты модуляции: Ррас. мод = (Pрас max )/(1+М)^2 *(1+M^2/2) (35) Ррас. мод = 111,7/4*3 = 83,8 мВт Как видим Ррасс мод не превосходит Ррасс доп. Глубина модуляции предоконечного каскада, обеспечивающая стопроцентную модуляцию тока оконечного каскада: (36) Мпред = (37-2*3,14*65*10^6*300*10^-12*1,86)/(37+2*3,14*65*10^6*300*10^-12*1,86) = 0,98
3.2 Расчет коллекторной цепи генератора
Колебательная мощность каскада в максимальном режиме P1max = P1мол = P1ном (37) По формуле (1) определено P1max = 0,24 Вт. Напряжение питания определено заданием в 3В. Угол отсечки и коэффициенты Берга (таблица 4.1 [1]) θ = 900; cosθ = 0; α0(θ) = 0,319; α1(θ) = 0,5; α2(θ) = 0,212; α3(θ) = 0; α4(θ) = 1,57. Крутизна линии критического режима [8] Sкр = 0,003 Коэффициент использования напряжения питания ξкр = 0,5+0,5*√(1-(8*Р1ном)/(α1(θ)*Sкр*Еп^2 )) (38) ξкр = 0,5+0,5*(1-8*0,24/(0,5*0,003*9)^0,5) = 0,72 Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе Ukm1 = ξкр*Еп*(1+mАм), (39) где mАм = 0 при ЧМ. Ukm1 = 0,72*3*1 = 2,16 В Проверим неравенства (1+ ξкр)*Еп<Uкб max (40) 5,16<25 – истинно. Uk max = 1,25*Еп*(1+mАм)≤ Uk доп 3,75<25 – истинно. Условия выполняются, значит Еп = 3 В допустимо. Определим амплитуду первой гармоники коллекторного тока Ikm1 = (2*P1ном)/Ukm1 (41) Ikm1 = 2*240/2,16 = 222 мА Постоянная составляющая коллекторного тока Ik0 = (α0(θ))/(α1(θ))* Ikm1 (42) Ik0 = (0,319/0,5)*222 = 142 мА Максимальный импульсный коллекторный ток Ik max имп = Ik0/(α0(θ)) (43) Ik max имп = 142/0,319 = 445 мА Проверим условие Ik max имп ≤ Ik0 доп (44) 445<600 – истинно. Максимальная мощность, потребляемая от источника питания P0 max = P0 ном = Uk max*Ik0 (45) P0 max = 3,75*0,142 = 0,53 Вт Определим кпд коллекторной цепи η = (Р1 ном)/(Р0 ном) (46) η = 0,24/0,53 = 0,45 Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора Рк рас = P0 max – P1 max (47) Рк рас = 0,53-0,24 = 0,29 Вт Проверим неравенство Рк рас < Рк рас доп 0,29 < 0,5 – истинно. Сопротивление нагрузки активного элемента Rн кр = (U^2 km1)/(2*P1max) (48) Rн кр = 2,16^2/(2*0,24) = 9,7 Ом
| |
Категория: Курсовая работа | Добавил: Archer (15.06.2021) | |
Просмотров: 295 | |
Всего комментариев: 0 | |